MOSFET canal Type N STMicroelectronics 6 A 20 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOIC
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
12 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8.5nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4 mm
Hauteur
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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€ 770,36
€ 0,308 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
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2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
12 V
Température minimum de fonctionnement
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Tension directe Vf
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Température d'utilisation maximum
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