MOSFET N STMicroelectronics 7.5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SO-8
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
7.5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SO-8
Type de montage
Surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
5mm
Taille
1.65mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 360,13
€ 0,544 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Surface
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Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
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