Documents Techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
7.5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SO-8
Type de support
En surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
21mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Température minimum de fonctionnemen
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
25nC
Tension maximale de source de la grille Vgs
16V
Température d'utilisation maximum
85°C
Largeur
4mm
Hauteur
1.65mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
Standard automobile
No
Détails du produit
Ce transistor MOSFET de puissance est le tout dernier développement de STMicroelectronis unique processus à base de bande "Single Foncction Size" (taille unique). Le transistor qui en résulte affiche une très haute densité d'emballage pour une faible résistance, des caractéristiques d'avalanche robustes et des étapes d'alignement moins critiques, donc une remarquable reproductibilité de fabrication.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 373,44
€ 0,549 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
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Largeur
4mm
Hauteur
1.65mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No, ECOLAB
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Ce transistor MOSFET de puissance est le tout dernier développement de STMicroelectronis unique processus à base de bande "Single Foncction Size" (taille unique). Le transistor qui en résulte affiche une très haute densité d'emballage pour une faible résistance, des caractéristiques d'avalanche robustes et des étapes d'alignement moins critiques, donc une remarquable reproductibilité de fabrication.
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