MOSFET STMicroelectronics canal N, SO-8 7,5 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SO-8
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
21 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
25 nF @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Tension directe de la diode
1.2V
Hauteur
1.65mm
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€ 1 681,30
€ 0,673 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
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Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±16 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Charge de Grille type @ Vgs
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