MOSFET N STMicroelectronics 10 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
50nC
Dissipation de puissance maximum Pd
156W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
15.75mm
Taille
20.15mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 4,46
€ 4,46 Each (hors TVA)
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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156W
Température de fonctionnement minimum
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Longueur
15.75mm
Taille
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