MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 10 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
750 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
156 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
50 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 60,84
€ 2,028 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
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3V
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Configuration du transistor
Single
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±30 V
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1
Largeur
5.15mm
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
50 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
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