MOSFET N STMicroelectronics 9.2 A 900 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
9.2A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
980mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
200W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
95nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 60,88
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
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Through Hole
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3
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
95nC
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1.6V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
5.15 mm
Taille
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
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