Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
9.2A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh, SuperMESH
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
980mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
95nC
Dissipation de puissance maximum Pd
200W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
15.75mm
Höhe
20.15mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,41
€ 6,41 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,41
€ 6,41 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 6,41 |
| 2+ | € 6,09 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
9.2A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh, SuperMESH
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
980mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
95nC
Dissipation de puissance maximum Pd
200W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
15.75mm
Höhe
20.15mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit


