MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 11 A 800 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.15mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
43,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Hauteur
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 72,62
€ 2,421 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 72,62
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,421 | € 72,62 |
| 90 - 480 | € 1,934 | € 58,03 |
| 510 - 960 | € 1,721 | € 51,62 |
| 990 - 4980 | € 1,535 | € 46,04 |
| 5010+ | € 1,498 | € 44,94 |
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N
Courant continu de Drain maximum
11 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Série
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Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
400 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
150000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
5.15mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
43,6 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Hauteur
20.15mm
Température de fonctionnement minimum
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