MOSFET canal Type N STMicroelectronics 10.5 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
10.5A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
87nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 72,87
€ 2,429 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 72,87
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,429 | € 72,87 |
| 90 - 480 | € 1,941 | € 58,23 |
| 510 - 960 | € 1,73 | € 51,90 |
| 990 - 4980 | € 1,46 | € 43,79 |
| 5010+ | € 1,408 | € 42,25 |
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Type N
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Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
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750mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
87nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
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