Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10.5 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
750 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
87 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 81,65
€ 2,722 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 81,65
€ 2,722 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Veuillez vérifier à nouveau plus tard.
Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
---|---|---|
30 - 60 | € 2,722 | € 81,65 |
90 - 480 | € 2,175 | € 65,25 |
510 - 960 | € 1,937 | € 58,12 |
990 - 4980 | € 1,635 | € 49,06 |
5010+ | € 1,578 | € 47,35 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
10.5 A
Tension Drain Source maximum
800 V
Séries
MDmesh, SuperMESH
Type d'emballage
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
750 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
87 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
20.15mm
Détails du produit