MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 10,5 A 800 V, 3 broches

N° de stock RS: 920-8859Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW12NK80Z
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

10.5 A

Tension Drain Source maximum

800 V

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type d'emballage

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

750 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

190 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

87 nC @ 10 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.75mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

20.15mm

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 81,65

€ 2,722 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 10,5 A 800 V, 3 broches

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QuantitéPrix unitairePar Tube
30 - 60€ 2,722€ 81,65
90 - 480€ 2,175€ 65,25
510 - 960€ 1,937€ 58,12
990 - 4980€ 1,635€ 49,06
5010+€ 1,578€ 47,35

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N

Courant continu de Drain maximum

10.5 A

Tension Drain Source maximum

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Séries

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Type d'emballage

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

750 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

190 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

87 nC @ 10 V

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1

Longueur

15.75mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Taille

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