MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 14 A Enrichissement 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
14A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
250mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
1.5V
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Prix sur demande
Paquet de production (Tube)
1
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110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
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Température maximale d'utilisation
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Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
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