Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
270mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
85nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
5.15 mm
Longueur
15.75mm
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 46,40
€ 1,547 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 46,40
€ 1,547 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 1,547 | € 46,40 |
| 90 - 480 | € 1,236 | € 37,09 |
| 510 - 960 | € 1,105 | € 33,14 |
| 990 - 4980 | € 0,925 | € 27,74 |
| 5010+ | € 0,894 | € 26,81 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
500V
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
270mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
85nC
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Tension directe Vf
1.6V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
5.15 mm
Longueur
15.75mm
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit


