MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 20 A Enrichissement 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
20A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
165mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 100,41
€ 3,347 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 3,347 | € 100,41 |
| 90 - 480 | € 2,678 | € 80,32 |
| 510 - 960 | € 2,38 | € 71,39 |
| 990+ | € 2,015 | € 60,45 |
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Séries
MDmesh
Type de montage
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Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
165mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
60nC
Tension directe Vf
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Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
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No
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