MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 20 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
165 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
140 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 99,34
€ 3,311 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 3,311 | € 99,34 |
| 90 - 480 | € 2,649 | € 79,47 |
| 510 - 960 | € 2,354 | € 70,63 |
| 990+ | € 1,994 | € 59,81 |
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N
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600 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
165 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
140 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
60 nC V @ 10
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
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Si
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