Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
22A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
139mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
64nC
Tension directe Vf
1.5V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 95,77
€ 3,192 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
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STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
22A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
139mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
64nC
Tension directe Vf
1.5V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.


