Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
29 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Série
FDmesh
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
80,4 nC @ 10 V
Hauteur
20.15mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N FDmesh™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 67,14
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 67,14
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
29 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
TO-247
Série
FDmesh
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
190 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
80,4 nC @ 10 V
Hauteur
20.15mm
Détails du produit


