MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 28 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
28 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh DM2
Type de boîtier
A-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
110 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
54 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,73
€ 4,364 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,364 | € 8,73 |
| 10 - 18 | € 4,148 | € 8,30 |
| 20 - 48 | € 3,733 | € 7,47 |
| 50 - 98 | € 3,358 | € 6,72 |
| 100+ | € 3,188 | € 6,38 |
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N
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28 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh DM2
Type de boîtier
A-247
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
210 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
54 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.6V
Taille
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Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
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