MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 30 A Enrichissement 710 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
95mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
71nC
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 138,70
€ 4,623 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 138,70
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,623 | € 138,70 |
| 60 - 120 | € 4,503 | € 135,09 |
| 150+ | € 4,392 | € 131,76 |
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Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
30A
Tension Drain Source maximum Vds
710V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
95mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
190W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
71nC
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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