Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
32 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
TO-247
Série
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
56,5 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 104,54
€ 3,485 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 104,54
€ 3,485 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
30
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,485 | € 104,54 |
| 60+ | € 3,397 | € 101,91 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
32 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de conditionnement
TO-247
Série
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
99 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
56,5 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.15mm
Tension directe de la diode
1.6V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).


