MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 4 A 1500 V, 3 broches

N° de stock RS: 687-5251Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STW4N150
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Documents techniques

Spécifications

Brand

STMicroelectronics

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

4 A

Tension Drain Source maximum

1500 V

Série

MDmesh

Type de conditionnement

TO-247

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

7 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

160 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Charge de Grille type @ Vgs

30 nC @ 10 V

Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

15.75mm

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

20.15mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 6,04

€ 6,04 Each (hors TVA)

MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 4 A 1500 V, 3 broches
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Standard

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Disponible en multiples de 1.

Production -

Disponible en multiples de 1.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

1

Disponible en multiples de 1
1€ 6,04
2€ 12,08
3€ 18,12
4€ 24,16
5€ 28,72
6€ 34,46
7€ 40,20
8€ 45,95
9€ 51,69
10€ 51,72
11€ 56,90
12€ 62,07
13€ 67,24
14€ 72,41
15€ 77,59

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QuantitéPrix unitaire
1 - 4€ 6,04
5 - 9€ 5,74
10 - 24€ 5,17
25 - 49€ 4,65
50+€ 4,41

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N

Courant continu de Drain maximum

4 A

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

7 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

160 W

Configuration du transistor

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Tension Grille Source maximum

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Charge de Grille type @ Vgs

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Largeur

5.15mm

Matériau du transistor

Si

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Longueur

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Température d'utilisation maximum

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Hauteur

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