MOSFET STMicroelectronics canal N, A-247 4 A 1500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
1 500 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
20.15mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 124,82
€ 4,161 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,161 | € 124,82 |
| 60 - 120 | € 3,811 | € 114,34 |
| 150+ | € 3,72 | € 111,60 |
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N
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4 A
Tension Drain Source maximum
1 500 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.75mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5.15mm
Matériau du transistor
Si
Température de fonctionnement minimum
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