Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
60mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
360W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Tension directe Vf
-5.5V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
5.15 mm
Normes/homologations
No
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 6,89
€ 6,89 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 6,89
€ 6,89 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 6,89 |
| 5 - 9 | € 6,53 |
| 10 - 24 | € 5,89 |
| 25 - 49 | € 5,31 |
| 50+ | € 5,03 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
60mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
360W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Tension directe Vf
-5.5V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
5.15 mm
Normes/homologations
No
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101


