MOSFET N STMicroelectronics 50 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
60mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
360W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Tension directe Vf
-5.5V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Pas de frais cachés !
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 7,08
€ 7,08 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 7,08
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Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 7,08 |
| 5 - 9 | € 6,71 |
| 10 - 24 | € 6,35 |
| 25 - 49 | € 6,27 |
| 50+ | € 6,20 |
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Type de Boitier
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Série
MDmesh DM2
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
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Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Tension directe Vf
-5.5V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
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Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
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Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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