MOSFET N STMicroelectronics 50 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 MDmesh DM2
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
50A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Série
MDmesh DM2
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
60mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
360W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Tension directe Vf
-5.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 219,21
€ 7,307 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
360W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
90nC
Tension directe Vf
-5.5V
Température d'utilisation maximum
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Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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