Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
3.5A
Tension Drain Source maximum Vds
1kV
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.7Ω
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
42nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
5.15 mm
Longueur
15.75mm
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 16,34
€ 4,085 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
4
€ 16,34
€ 4,085 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
4
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
3.5A
Tension Drain Source maximum Vds
1kV
Type de Boitier
TO-247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.7Ω
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
42nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
5.15 mm
Longueur
15.75mm
Hauteur
20.15mm
Standard automobile
No
Détails du produit


