MOSFET N STMicroelectronics 54 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247-4 STW65N
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
54A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-247-4
Séries
STW65N
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 205,64
€ 6,855 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 205,64
€ 6,855 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 6,855 | € 205,64 |
| 60 - 60 | € 6,679 | € 200,36 |
| 90+ | € 6,512 | € 195,35 |
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650V
Type de Boitier
TO-247-4
Séries
STW65N
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
312W
Tension maximale de source de la grille Vgs
±30 V
Température d'utilisation minimum
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