MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-247 66 A Enrichissement 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
66A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-247
Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
42mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
446W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Tension directe Vf
1.3V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
Capacité dV/dt élevée pour une meilleure fiabilité du système
Certifié AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 258,49
€ 8,616 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
€ 258,49
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30
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 8,616 | € 258,49 |
| 60+ | € 8,186 | € 245,57 |
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Séries
MDmesh DM2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
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42mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
446W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
121nC
Tension directe Vf
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Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
5.15 mm
Hauteur
20.15mm
Longueur
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Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh série DM2, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET MDmesh DM2 offrent un faible RDS(on), et avec l'amélioration du temps de recouvrement inverse de diode amélioré pour plus d'efficacité, cette série est optimisée pour les topologies ZVS à pont complet déphasé.
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