MOSFET STMicroelectronics canal Type N 138 A Enrichissement 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
138A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
15mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
414nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
5.3 mm
Longueur
15.9mm
Hauteur
20.3mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 060,75
€ 35,358 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
414nC
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Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
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1.5V
Température de fonctionnement maximale
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Largeur
5.3 mm
Longueur
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Hauteur
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