MOSFET STMicroelectronics canal N, Max247 138 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
138 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Série
MDmesh
Type de boîtier
Max247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
625 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.3mm
Longueur
15.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
414 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.3mm
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 021,81
€ 34,06 Each (In a Tube of 30) (hors TVA)
30
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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625 W
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Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
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1
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5.3mm
Longueur
15.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
414 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
20.3mm
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