MOSFET STMicroelectronics canal N, Max247 138 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
138 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Séries
MDmesh
Type de boîtier
Max247
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
15 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
625 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Largeur
5.3mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
15.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
414 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
20.3mm
Tension directe de la diode
1.5V
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 36,39
€ 36,39 Each (hors TVA)
1
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 36,39 |
| 2 - 4 | € 35,42 |
| 5 - 9 | € 34,52 |
| 10+ | € 33,65 |
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3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
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Single
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Si
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Longueur
15.9mm
Charge de Grille type @ Vgs
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Hauteur
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