Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
138A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
15mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
414nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
5.3 mm
Longueur
15.9mm
Normes/homologations
No
Hauteur
20.3mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 36,13
€ 36,13 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 36,13
€ 36,13 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 36,13 |
| 2 - 4 | € 35,16 |
| 5 - 9 | € 34,27 |
| 10+ | € 33,41 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
138A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
15mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
414nC
Dissipation de puissance maximum Pd
625W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Tension directe Vf
1.5V
Température de fonctionnement maximale
150°C
Largeur
5.3 mm
Longueur
15.9mm
Normes/homologations
No
Hauteur
20.3mm
Standard automobile
No
Détails du produit


