Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de boîtier
PDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Počet prvků na čip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Longueur
20mm
Höhe
5.1mm
Šířka
7.1mm
Rozměry
20 x 7.1 x 5.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
20
Prix sur demande
Each (In a Pack of 20) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
20
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de transistor
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
0.5 A
Tension Collecteur Emetteur maximum
-50 V
Type de boîtier
PDIP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
16
Configuration du transistor
Emetteur commun
Počet prvků na čip
7
Minimální proudový zisk DC
1000
Maximální napětí při saturaci emitoru/kolektoru
1.6 V
Betriebstemperatur min.
-20 °C
Betriebstemperatur max.
85 °C
Longueur
20mm
Höhe
5.1mm
Šířka
7.1mm
Rozměry
20 x 7.1 x 5.1mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.


