Transistor Darlington, Non STMicroelectronics 7, 500 mA NPN, 50 V HFE:1000, 16 broches, PDIP
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Tranzistor Darlington
Courant continu de Collecteur maximum lc
500mA
Tension Collecteur Emetteur maximaleVceo
50V
Type de Boitier
PDIP
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
16
Počet prvků na čip
7
Gain en courant DC minimum hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.1V
Température minimum de fonctionnement
-5°C
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
20mm
Hauteur
5.1mm
Normes/homologations
No
Séries
ULN2003A
Automobilový standard
No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 5,58
€ 0,223 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
25
€ 5,58
€ 0,223 Each (In a Tube of 25) (hors TVA)
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25
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,223 | € 5,58 |
| 100 - 475 | € 0,157 | € 3,91 |
| 500 - 975 | € 0,13 | € 3,25 |
| 1000 - 1975 | € 0,127 | € 3,16 |
| 2000+ | € 0,123 | € 3,08 |
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Nombre de broche
16
Počet prvků na čip
7
Gain en courant DC minimum hFE
1000
Polarité du transistor
NPN
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT
1.1V
Température minimum de fonctionnement
-5°C
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Longueur
20mm
Hauteur
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Normes/homologations
No
Séries
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No
Détails du produit
Réseau de transistors Darlington, STMicroelectronics
Les contrôleurs d'alimentation à transistor Darlington sont des réseaux à commutation haute tension et haute puissance contenant des paires Darlington à collecteur ouvert et des diodes de suppression intégrale pour les charges inductives. Chaque sortie possède une intensité nominale élevée de 500 mA ou plus. Les entrées sont équipées de broches en face des sorties dans le boîtier de CI pour simplifier la disposition de la carte d'application. L'interface est de niveau logique homologué pour TTL ou CMOS.
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