MOSFET Taiwan Semiconductor, PDFN56 121 A 40 V, 8 broches

N° de stock RS: 216-9652Marque: Taiwan SemiconductorN° de pièce Mfr: TSM033NB04CR
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Courant continu de Drain maximum

121 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

TSM025

Type de boîtier

PDFN56

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

3,3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Matériau du transistor

Silicium

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 23,11

€ 2,311 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Taiwan Semiconductor, PDFN56 121 A 40 V, 8 broches
Sélectionner le type d'emballage

€ 23,11

€ 2,311 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

MOSFET Taiwan Semiconductor, PDFN56 121 A 40 V, 8 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

QuantitéPrix unitairePar Paquet
10 - 40€ 2,311€ 23,10
50 - 90€ 2,263€ 22,63
100 - 240€ 2,08€ 20,80
250 - 990€ 2,038€ 20,38
1000+€ 1,888€ 18,88

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Courant continu de Drain maximum

121 A

Tension Drain Source maximum

40 V

Série

TSM025

Type de boîtier

PDFN56

Nombre de broche

8

Résistance Drain Source maximum

3,3 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Matériau du transistor

Silicium

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus