MOSFET Taiwan Semiconductor, PDFN56 35 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorCourant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
TSM025
Type de conditionnement
PDFN56
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Matériau du transistor
Silicium
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 1 784,30
€ 0,714 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 784,30
€ 0,714 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorCourant continu de Drain maximum
35 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Série
TSM025
Type de conditionnement
PDFN56
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
22 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Matériau du transistor
Silicium
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.