MOSFET Taiwan Semiconductor canal P, SOT-23 3 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
1.7mm
Hauteur
1.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à canal P, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
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€ 6,55
€ 0,262 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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25
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,262 | € 6,55 |
| 250 - 475 | € 0,22 | € 5,51 |
| 500+ | € 0,214 | € 5,34 |
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Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
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