MOSFET Taiwan Semiconductor canal P, SOT-23 3 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
1.7mm
Hauteur
1.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à canal P, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
€ 6,55
€ 0,262 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Standard
25
€ 6,55
€ 0,262 Each (In a Pack of 25) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
25
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,262 | € 6,55 |
| 250 - 475 | € 0,22 | € 5,51 |
| 500+ | € 0,214 | € 5,34 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Taiwan SemiconductorType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
3 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Type d'emballage
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
140 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
1.25 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
3.1mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
10 nC V @ 10
Largeur
1.7mm
Hauteur
1.2mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor de puissance MOSFET à canal P, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.