MOSFET N Texas Instruments 10.7 A 12 V Enrichissement, DSBGA AEC-Q101

N° de stock RS: 252-8470Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD13306WT
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Documents techniques

Spécifications

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

DSBGA

Type de montage

Surface

Résistance Drain Source maximum Rds

12.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.9W

Température de fonctionnement minimum

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

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Prix ​​sur demande

Each (In a Pack of 10) (hors TVA)

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