MOSFET N Texas Instruments 10.7 A 12 V Enrichissement, DSBGA AEC-Q101

N° de stock RS: 252-8469Marque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD13306WT
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Documents techniques

Spécifications

Type du produit

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

10.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

12V

Type de Boitier

DSBGA

Typ montáže

Surface

Résistance Drain Source maximum Rds

12.9mΩ

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.9W

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Maximální provozní teplota

85°C

Normes/homologations

No

Automobilový standard

Non

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Prix ​​sur demande

Each (On a Reel of 250) (hors TVA)

MOSFET N Texas Instruments 10.7 A 12 V Enrichissement, DSBGA AEC-Q101

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