MOSFET N Texas Instruments 182 A 12 V Enrichissement, PICOSTAR AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
182A
Tension Drain Source maximum Vds
12V
Type de Boitier
PICOSTAR
Type de montage
Montage en surface
Résistance Drain Source maximum Rds
12.9mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
1.9W
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
AEC-Q101
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 250) (hors TVA)
250
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