MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Série
NexFET
Type de boîtier
WSON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum
34 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.55V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
2,3 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
2mm
Longueur
2mm
Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
0.8mm
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 578,89
€ 0,193 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Single
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1
Largeur
2mm
Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
2 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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