MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches

N° de stock RS: 827-4672PMarque: Texas InstrumentsN° de pièce Mfr: CSD16301Q2
brand-logo
Tout voir dans Transistors MOSFET

Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

5 A

Tension Drain Source maximum

25 V

Série

NexFET

Type de boîtier

WSON

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

34 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.55V

Tension de seuil minimale de la grille

0.9V

Dissipation de puissance maximum

2,3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +10 V

Largeur

2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2mm

Charge de Grille type @ Vgs

2 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

0.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

€ 2,80

€ 0,28 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches
Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Bobine)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 2,80
20€ 5,59
30€ 8,39
40€ 11,18
50€ 13,98
60€ 16,77
70€ 19,57
80€ 22,37
90€ 25,16
100€ 27,96
110€ 30,75
120€ 33,55
130€ 36,35
140€ 39,14
150€ 41,94

€ 2,80

€ 0,28 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

MOSFET Texas Instruments canal N, WSON 5 A 25 V, 6 broches

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Sélectionner le type d'emballage

Paquet de production (Bobine)

Sélectionner le type d'emballage

Standard - each

Disponible en multiples de 10.

Production -

Disponible en multiples de 10.

Recommandé pour les commandes en grandes quantités. Les articles sont emballés prêts à être insérés dans les machines, ce qui vous permet d'améliorer l'efficacité de votre production.

10

Disponible en multiples de 10
10€ 2,80
20€ 5,59
30€ 8,39
40€ 11,18
50€ 13,98
60€ 16,77
70€ 19,57
80€ 22,37
90€ 25,16
100€ 27,96
110€ 30,75
120€ 33,55
130€ 36,35
140€ 39,14
150€ 41,94

Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus

Documents techniques

Spécifications

Brand

Texas Instruments

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

5 A

Tension Drain Source maximum

25 V

Série

NexFET

Type de boîtier

WSON

Type de montage

CMS

Nombre de broche

6

Résistance Drain Source maximum

34 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

1.55V

Tension de seuil minimale de la grille

0.9V

Dissipation de puissance maximum

2,3 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-8 V, +10 V

Largeur

2mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

2mm

Charge de Grille type @ Vgs

2 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

0.8mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idée. Créer. Collaborer

S'INSCRIRE GRATUITEMENT

Pas de frais cachés !

design-spark
design-spark
  • Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
  • Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
  • Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Cliquez ici pour en savoir plus