MOSFET N Texas Instruments 5 A 25 V Enrichissement, 6 broches, SON NexFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
25V
Type de Boitier
SON
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum Rds
34mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
2nC
Dissipation de puissance maximum Pd
2.3W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
0.8V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2mm
Höhe
0.8mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 457,42
€ 0,152 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Enhancement
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Dissipation de puissance maximum Pd
2.3W
Température minimum de fonctionnement
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Tension directe Vf
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No
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