MOSFET N Texas Instruments 5 A 25 V Enrichissement, 6 broches, SON NexFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
25V
Type de Boitier
SON
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum Rds
34mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
2nC
Dissipation de puissance maximum Pd
2.3W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
0.8V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2mm
Höhe
0.8mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 2,84
€ 0,284 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 2,84
€ 0,284 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
25V
Type de Boitier
SON
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
6
Résistance Drain Source maximum Rds
34mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
2nC
Dissipation de puissance maximum Pd
2.3W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
0.8V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
2mm
Höhe
0.8mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.