MOSFET Texas Instruments canal N, VSON-CLIP 100 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Série
NexFET
Type de boîtier
VSON-CLIP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
5.1mm
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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€ 1 992,44
€ 0,797 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
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Configuration du transistor
Single
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1
Largeur
5.1mm
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
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