Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSON-CLIP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Largeur
5.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 6,65
€ 1,33 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 6,65
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
100 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Série
NexFET
Type de conditionnement
VSON-CLIP
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
3,8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.4V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
3,1 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Largeur
5.1mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
6.1mm
Charge de Grille type @ Vgs
14 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Taille
1.05mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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