MOSFET Texas Instruments canal N, SON 60 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Type de boîtier
SON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Température d'utilisation maximum
150 °C
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 4,5 V
Largeur
3.4mm
Matériau du transistor
Si
Série
NexFET
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Hauteur
1.1mm
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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Longueur
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
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