MOSFET Texas Instruments canal N, SON 60 A 25 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
60 A
Tension Drain Source maximum
25 V
Séries
NexFET
Type de conditionnement
SON
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
7.8 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
0.6V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
3.4mm
Taille
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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Prix sur demande
Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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2500
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CMS
Nombre de broche
8
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Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.1V
Tension de seuil minimale de la grille
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Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Longueur
3.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
6,5 nC @ 4,5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
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1
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3.4mm
Taille
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