Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
73 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 4,75
€ 0,475 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
10
€ 4,75
€ 0,475 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Bobine)
10
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
73 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Séries
NexFET
Type de boîtier
VSONP
Type de montage
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
17.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
1.8V
Tension de seuil minimale de la grille
0.9V
Dissipation de puissance maximum
3000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-8 V, +10 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
5.8mm
Charge de Grille type @ Vgs
4 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
5mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
1.1mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit