MOSFET N Texas Instruments 73 A 30 V Enrichissement, 8 broches, SON NexFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
73A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Type de Boitier
SON
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
17.3mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4nC
Dissipation de puissance maximum Pd
3W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
0.85V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
5.8mm
Höhe
1.1mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 710,39
€ 0,284 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 710,39
€ 0,284 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
73A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Type de Boitier
SON
Série
NexFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
17.3mΩ
Mode de canal
Enhancement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4nC
Dissipation de puissance maximum Pd
3W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
0.85V
Maximální provozní teplota
60°C
Longueur
5.8mm
Höhe
1.1mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.