Documents techniques
Spécifications
Brand
Texas InstrumentsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
73A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Série
NexFET
Type de Boitier
SON
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
17.3mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
0.85V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4nC
Dissipation de puissance maximum Pd
3W
Température d'utilisation maximum
60°C
Longueur
5.8mm
Taille
1.1mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance NexFET™ canal N, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 4,76
€ 0,476 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Standard
10
€ 4,76
€ 0,476 Each (In a Pack of 10) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
10
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Brand
Texas InstrumentsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
73A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Série
NexFET
Type de Boitier
SON
Type de montage
Montage en surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
17.3mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
0.85V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
4nC
Dissipation de puissance maximum Pd
3W
Température d'utilisation maximum
60°C
Longueur
5.8mm
Taille
1.1mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
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